理想的电源供给器  文件类型：DOC/Microsoft Word  文件大小：字节

理想的电源供给器,其电压调整率为 (A)100% (B)75% (C)50% (D)0%.
有一直流电源供应器在未加负载时,其电压降为15伏特,加上10负载后,电压降为10伏特,则其电压调整率为 (A)10% (B)20% (C)30% (D)40% (E)50%.
如图(1)所示,欲维持稳定可输出20V,求最小之RL值 (A)100 (B)500 (C)800 (D)1K (E)1.2K.
同上题,稽纳二极体之最大逆向电流IZM=15mA,则最大之RL值为 (A)1K (B)2K( (C)4K( (D)8K( (E)10K(.
理想的电流源,其内阻应为 (A)0 (B)等於负载电阻的一半 (C)等於负载电阻 (D)无限大 (E)任何值均可.
如图(2)之回授型电晶体串联稳压电路,若负载电流IL升高时,则VBE2应如何变化 (A)增大 (B)不变 (C)变小 (D)递增到无限大(E)递减到零.
同上题,IB1应如何变化 (A)增大 (B)不变 (C)变小 (D)递增到无限大 (E)递减到零.
图(2)中,VL为何 (A)5V (B)10V (C)15V (D)20V (E)25V.
图(2)中VCE1为何 (A)5V (B)10V (C)15V (D)20V (E)25V.
图(2)中,IZ为何 (A)3.05mA (B)4mA (C)4.45mA (D)5.15mA (E)6mA.
图(2)中Q1电晶体至少需耐多少功率方不致被烧毁 (A)10W (B)15W (C)20W (D)25W (E)30W.
图(2)中稽纳二极体至少需耐多少功率方不致被烧毁 (A)100mW (B)200mW (C)300mW (D)400mW (E)500mW.
图(2)中,Q2电晶体至少需耐多少功率方不致被烧毁 (A)20mW (B)40mW (C)60mW (D)80mW (E)100mW.
LM320-5表示此IC输出 (A)+10V (B)+5V (C)0V (D)-5V (E)-10V.
具有最大输出电流大於输出短路电流的电路是 (A)折返型保护电路 (B)二极体限流电路 (C)电晶体限流电路 (D)SCR过电压保护电路 (E)以上皆非.
如图(3)为单电晶体调整稳压器.若R1=0 则Vo=5V,若欲使Vo=15V 则R1应调为 (A)100 (B)300 (C) 600 (D)1K (E)1.5K.
若以Vi=10sin t信号输入图(4),则输出波形Vo为何
同17题之Vi及Vo波形,则何者为图(5)之输出波形
同17题之Vi及Vo波形,则何者为图(6)之输出波形
图 (7)之电路,若Vi为±5V之方波,则其输出Vo波形为:
一方波经过何电路,其输出为一三角波 (A)积分电路 (B)微分电路 (C)相移电路 (D)电桥网路 (E)滤波电路.
锯齿波经微分电路,其输出波形为 (A)正弦波 (B)三角波 (C)方波 (D)正脉冲 (E)负脉冲.
允许某特定频率通过,此频率以外被衰减之滤波器为 (A)低通 (B)高通 (C)带通 (D)带拒 滤波器.
关於图(8)的叙述何者不正确 (A)电路的时间常数为1mS (B)低频截止频率为159Hz (C)在截止频率时, (D)本电路经适当选择R,C值,可当做微分器.
上题图中若为相移电路,则是 (A)Vi领前Vo (B) Vo领前Vi (C)Vi与Vo相位无关 (D)以上皆非.
设计一滤波器,此滤波器必须滤掉60Hz以上之频率,且让其它频率通过,则此滤波器是属於 (A)低通 (B)高通 (C)带通 (D)带拒 滤波器.
如图 (9)中为一截波电路,Vi与Vo之关系曲线为:
如图(10)之截波电路,若-6V Vi 6V,且忽略二极体之顺向偏压,则Vo之大小为 (A)1.5V Vo 3V (B)3V Vo 6V (C)-3V Vo 1.5V (D)-6V Vo 3V.
图(11)中,当t=0时,SW ON,至t=0.05 sec时,电容器两端之电压约为 (A)10V (B)16.3V (C)3.7V (D)4V (E)以上皆非.
图(12)中,若电桥平衡,则其平衡条件为 (A)R1R4=R2R3 (B)R3C3=R4C4 (C)R1Z4=R2Z3 (D)R2C4=R1C3.
承上题,平衡时其频率为 (A) (B) (C) (D) (D) .
如图(13)所示,当Vi之脉波宽度t>5RC时,则Vo之输出波形应为
箝位电路至少应包含下列那些元件 (A)二极体,电感,电阻 (B)电阻,电容,电感 (C)二极体,电阻,电容 (D)继电器,电阻,电感.
一RC积分电路,时间常数为,若在t=0时开始积分,则当t=2时,电容器的电压为稳定值的百分之 (A)63.2 (B)74.6 (C)86.5 (D)90.5 (E)94.8.
使用负回授,会使放大器的频带宽度 (A)减少 (B)增加 (C)不变 (D)视回授网路型式而定
使用负回授,会使放大器的失真 (A)减少 (B)增加 (C)不变 (D)视回授网路型式而定
使用负回授,会使放大器的杂音 (A)减少 (B)增加 (C)不变 (D)视回授网路型式而定
使用负回授,会使放大器的输入阻抗 (A)减少 (B)增加 (C)不变 (D)视回授网路型式而定
使用负回授,会使放大器的输出阻抗 (A)减少 (B)增加 (C)不变 (D)视回授网路型式而定
负回授之非线性失真为原来无负回授的几倍
某一放大器,A=500,频宽100KHz,今欲使频宽增为1MHz,则回授因数β应为 (A)0.02 (B)1 (C)0.018 (D)21.2
某一放大器,无回授时A=100,加入负回授后,设β=0.02,则其电压增益降为多少 (A)40 (B)50 (C)33.3 (D)21.2
回授因数愈大,表示回授量愈大,回授因数之范围为 (A)不可能超过1 (B)可大於1亦可等於1 (C)等於1 (D)大於1
电压回授放大器,其输出阻抗将如何变化 (A)减少 (B)增加 (C)不变 (D)不一定
电流回授放大器,其输出阻抗将如何变化 (A)减少 (B)增加 (C)不变 (D)不一定
电压串联负回授,又称为什麼放大器 (A)电压 (B)电流 (C)互导 (D)转阻
电压并联负回授,又称为什麼放大器 (A)电压 (B)电流 (C)互导 (D)转阻
电压串联负回授,其输出阻抗将如何变化 (A)减少 (B)增加 (C)不变 (D)不一定
电压并联负回授,其输入阻抗将如何变化 (A)减少 (B)增加 (C)不变 (D)不一定
电流串联负回授,其输出阻抗将如何变化 (A)减少 (B)增加 (C)不变 (D)不一定
电流并联负回授,其输入阻抗将如何变化 (A)减少 (B)增加 (C)不变 (D)不一定
可提高输入阻抗与输出阻抗的负回授的是 (A)电压并联 (B)电压串联 (C)电流并联 (D)电流串联
某放大器之开回路电压增益为100,频宽10KHz,若加上回授后之增益为10,则此时频宽为 (A)10K (B)1M (C)100K (D)5K Hz
依阻抗观点,互导放大器以何种回授最为恰当 (A)电压并联 (B)电压串联 (C)电流并联 (D)电流串联 负回授
理想电流放大器之输入阻抗,输出阻抗分别为 (A)0,0 (B)0, (C) ,0 (D),
负回授的基本放大器增益为A,回授率为β(正值),则电路总电压增益为
射极随耦器使用何种回授 (A)电压并联 (B)电压串联 (C)电流并联 (D)电流串联
加有射极电阻的共射极放大器使用何种回授 (A)电压并联 (B)电压串联 (C)电流并联 (D)电流串联
两级电压串联负回授,若回授因数为,则电压增益约为 (A)1 (B)β(C) (D)0
1.放大器之输出的一部份讯号经回授网路,加入输入端回授的相位与输入讯号相位相
同时称为(A)负回授(B)正回授(C)正负回授(D)退化回授
2.正回授的作用可使电路产生何种效果
(A)减少失真及杂音(B)电路的工作更为稳定(C)频带宽加大(D)电路产生振荡
3.一个实用振荡器环路增益 |βA|之值应为多少较恰当
(A)略大於0(约5%)(B)确等於1(C)略小於1(D)略大於1(约5%)
4.振荡巴克豪生准则,βA之条件为何
(A)βA≥2∠0°(B)βA≤1∠0°(C)βA≥1∠180°(D)βA≥1∠0°
5.某一放大器,其正回授因数β=0.02,欲使其振荡,则|Av|之值应为若干
(A)50(B)40(C)30(D)20
6.高频振荡器通常采用R,L,C元件之那些种组合 (A)RC(B)RL(C)LC(D)RLC
7.若|βA|>1,则产生何种振荡 (A)等幅振荡(B)减幅振荡(C)增幅振荡(D)无振荡
8.在实际的应用上,RC相移振荡器,所用的RC相移至少要几节
(A)二节(B)三节(C)四节(D)五节
9.一节RC相移,在理论值上可相移之最大值是 (A)45°(B)60°(C)90°(D)180°
10.电晶体的CE线路,用三节RC移相振荡器,平均每一节应产生几度移相
(A)30°(B)45°(C)60°(D)120°
11.在三节RC相移振荡器中,若主动元件为FET,则其振荡频率为多少Hz
(A)1/(2π√3RC)(B)1/(2π√6RC)(C)1/(2π√10RC)(D)1/(2πRC)
12.在FET,三节RC相移振荡器中,其β= (A)1/26(B)1/27(C)1/28(D)1/29
13.在三节RC相移振荡器中,主动元件为FET,欲使FET之增益满足振荡,则|Av|必大於
多少 (A)0(B)1(C)18(D)29
14.若三节RC相移振荡器,主动元件为电晶体,当Rc=R时,则f为多少Hz
(A)1/(2π√3RC)(B)1/(2π√6RC)(C)1/(2π√10RC)(D)1/(2πRC)
15.如使用电晶体三节RC相移振荡器所示,若R'+Ri=R,hie=2KΩ,R1=20KΩ,
R2=80KΩ,R=8KΩ,C=0.0015uf,Rc=10KΩ,求f为多少Hz
(A)2000(B)2500(C)3200(D)4000
16.同上题,则电晶体之最小hfe= (A)42(B)45(C)52(D)56
17.如使用运算放大器之相移振荡器,其Rf不知道数值;当Ri为1KΩ时,求Rf至少应为
多少 (A)25K (B)27K (C)29K (D)31K
18.RC网路与电晶体组成的振荡器,属於那一频率范围
(A)高频(B)超高频(C)极高频(D)低频
19.在韦恩电桥振荡器中,最大正回授量为多少 (A)1/4(B)1/3(C)1/2(D)2/3
20.同上题,求其振荡频率f为多少Hz (A)1/[2π√(R1R2C1C2)](B)1/[2πR1R2C1C2]
(C)1/(2π√(R1C1))(D)1/(2π√(R2C2))
21.同上题,若R1=R2=R,C1=C2=C,则 f为多少Hz
(A)1/(2πRC)(B)1/[2π√(RC)](C)1/(4πRC)(D)1/(6πRC)
22.同上题,若R1=R2=100KΩ,今欲使f=10Kz,求C等於多少F
(A)159pF(B)172pF(C)164pF(D)0.53uF
23.如使用电晶体三节RC相移振荡器,电晶体最小hfe为多少
(A)44.5(B)50(C)56(D)100
24.同上题,欲使电路振荡,则其A必须为 (A) 3 (B) 1 (C) 3 (D) 1
23.利用LC之振荡电路,其频率f为多少Hz
(A)1/(4πRC) (B)1/(2πRC) (C)1/(2πLC) (D)1/2π√(LC)]
24.串联200pF及300pF之两电容器后,再和30uH之电感器并联形成槽路(Tank),则其谐振频率为 (A)159HZ (B)265HZ (C)1.59MHZ (D)2.65MHZ
25.通常由二个电感及一个电容组成回授的振荡器为那一种
(A)米勒 (B)考毕子 (C)哈特莱 (D)皮尔斯
26.理想的射频抗流圈(RFC)对直流电源而言,其阻抗大小为何
(A)几乎为无限大 (B)几乎为零 (C)与电压成正比例 (D)与电流成正比例
27.在考毕子振荡器中,其正回授是采用何种方式
(A)电磁感应 (B)电感分压式 (C)电容分压式 (D)电阻分压式
28.在哈特莱振荡器中,其正回授是采用何种方式
(A)电磁感应 (B)电感分压式 (C)电容分压式 (D)电阻分压式
29.振荡频率最稳定之振荡器为那一种
(A)晶体振荡器 (B)哈莱特振荡器 (C)考毕子振荡器 (D)LC振荡器
30.石英晶体的零阻抗发生於何种谐振频率之下
(A)并联谐振 (B)串联谐振 (C)串,并联谐振 (D)临界谐振
31.如图1之电路为何种振荡器之基本线路图 (A)考毕子 (B)间歇 (C)哈特莱 (D)移相
32.同上题,欲使其振荡,则|Av|之值应为若干 (A)C1/C2 (B)C2/C1 (C)C1+C2 (D)C1-C2
33.如图2中,晶体是工作在何种谐振下
(A)并联谐振 (B)串联谐振 (C)串并联谐振 (D)临界谐振
34.如图3电路称为振荡器 (A)克拉普振荡器 (B)米勒晶控振荡器
(C)并联式皮尔斯晶控振荡器(D)串联式皮尔斯晶控振荡器
35.如图3电路振荡器,晶体呈何种特性 (A)负电阻性 (B)电阻性 (C)电容性 (D)电感性
36.如图4为石英晶体之等效电路,其串联谐振频率是由那一些元件决定
(A)Co,CM (B)L,CM (C)L,Co,CM (D)L,Co
37.如图4,石英晶体之等效电路中,Co与CM的关系为何
(A)Co=CM (B)Co>CM (C)Co<CM (D)CoCM
38.在晶体之等效电路中,CM所代表的意义为何
(A)晶体之弹性 (B)杂散电容 (C)晶体与电极间之电容 (D)晶体之质量
39.振荡器之A是实数,=5/{15+j[1/(0.5)-0.0001]}时,其谐振频率值应为多少
Hz (A)3.18 (B)31.8 (C)3.18K (D)31.8K
40.同上题,欲使电路振荡,则其A必须为 (A) 3(B) 1 (C) 3 (D) 1

台北市立内湖高级工业职业学校 85学年度 第一学期 电子科 期末考 试卷
科目:电子学(三) 使用科班:电子科二年级
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